Awọn transistor ipa-ipa irin-oxide-semiconductor (MOSFET, MOS-FET, tabi MOS FET) jẹ iru transistor ipa-aaye (FET), ti o wọpọ julọ ti iṣelọpọ nipasẹ oxidation iṣakoso ti silikoni.O ni ẹnu-ọna idabobo, foliteji eyiti o ṣe ipinnu ifarakanra ẹrọ naa.
Ẹya akọkọ rẹ ni pe Layer insulating silicon dioxide wa laarin ẹnu-ọna irin ati ikanni, nitorinaa o ni idiwọ titẹ sii giga (to 1015Ω).O ti tun pin si N-ikanni tube ati P-ikanni tube.Nigbagbogbo sobusitireti (sobusitireti) ati orisun S ti sopọ papọ.
Gẹgẹbi awọn ipo adaṣe oriṣiriṣi, MOSFET ti pin si iru imudara ati iru idinku.
Iru imudara ti a npe ni: nigbati VGS = 0, tube wa ni ipo gige-pipa.Lẹhin ti o ṣafikun VGS ti o pe, ọpọlọpọ awọn gbigbe ni ifamọra si ẹnu-ọna, nitorinaa “imudara” awọn gbigbe ni agbegbe yii ati ṣiṣe ikanni adaṣe kan..
Ipo idinku tumọ si pe nigbati VGS=0, ikanni kan ti ṣẹda.Nigbati VGS ti o tọ ba wa ni afikun, ọpọlọpọ awọn ọkọ ayọkẹlẹ le ṣan jade kuro ninu ikanni naa, nitorinaa "idinku" awọn ọkọ ayọkẹlẹ ati titan tube naa.
Ṣe iyatọ idi naa: Idaabobo titẹ sii JFET jẹ diẹ sii ju 100MΩ, ati transconductance jẹ giga pupọ, nigbati ẹnu-bode ba jẹ itọsọna, aaye oofa aaye inu ile jẹ rọrun pupọ lati rii ifihan agbara data foliteji ṣiṣẹ lori ẹnu-bode, ki opo gigun ti epo naa duro si jẹ soke si, tabi duro lati wa ni pipa.Ti foliteji fifa irọbi ara ti wa ni afikun lẹsẹkẹsẹ si ẹnu-bode, nitori kikọlu itanna eletiriki naa lagbara, ipo ti o wa loke yoo jẹ pataki diẹ sii.Ti abẹrẹ mita ba yipada ni kiakia si apa osi, o tumọ si pe opo gigun ti epo duro lati wa titi de, olutaja orisun-igbẹ-ara RDS gbooro, ati iye ti sisan-orisun lọwọlọwọ dinku IDS.Ni idakeji, abẹrẹ mita naa yipada ni kiakia si apa ọtun, ti o nfihan pe opo gigun ti epo duro lati wa ni pipa, RDS lọ silẹ, ati IDS lọ soke.Bibẹẹkọ, itọsọna gangan ninu eyiti abẹrẹ mita naa ti yipada yẹ ki o dale lori awọn ọpá rere ati odi ti foliteji ti a fa (foliteji iṣẹ itọsọna rere tabi foliteji iṣẹ iyipada) ati aaye agbedemeji iṣẹ ti opo gigun ti epo.
WINSOK DFN3x3 MOSFET
Gbigba ikanni N gẹgẹbi apẹẹrẹ, o ṣe lori sobusitireti ohun alumọni P-iru pẹlu awọn agbegbe kaakiri orisun meji ti o ga pupọ N + ati awọn agbegbe kaakiri N +, ati lẹhinna elekiturodu orisun S ati elekiturodu sisan D ni a mu jade ni atele.Orisun ati sobusitireti ti sopọ si inu, ati pe wọn nigbagbogbo ṣetọju agbara kanna.Nigbati sisan naa ba sopọ si ebute rere ti ipese agbara ati orisun ti sopọ si ebute odi ti ipese agbara ati VGS = 0, lọwọlọwọ ikanni (ie sisan lọwọlọwọ) ID = 0.Bi VGS ṣe n pọ si diẹ sii, ti ifamọra nipasẹ foliteji ẹnu-ọna rere, awọn gbigbe kekere ti o gba agbara ni odi ti fa laarin awọn agbegbe kaakiri meji, ti o n ṣe ikanni iru N lati sisan si orisun.Nigba ti VGS jẹ tobi ju awọn Tan-on foliteji VTN ti awọn tube (gbogbo nipa +2V), N-ikanni tube bẹrẹ lati se, lara kan sisan lọwọlọwọ ID.
VMOSFET (VMOSFET), orukọ kikun rẹ jẹ V-groove MOSFET.O jẹ iṣẹ ṣiṣe giga tuntun ti o dagbasoke, ẹrọ iyipada agbara lẹhin MOSFET.Kii ṣe jogun ikọlu igbewọle giga ti MOSFET (≥108W), ṣugbọn tun lọwọlọwọ awakọ kekere (nipa 0.1μA).O tun ni awọn abuda ti o dara julọ bii foliteji resistance giga (to 1200V), lọwọlọwọ ṣiṣiṣẹ nla (1.5A ~ 100A), agbara iṣelọpọ giga (1 ~ 250W), laini transconductance ti o dara, ati iyara iyipada iyara.Ni pipe nitori pe o daapọ awọn anfani ti awọn tubes igbale ati awọn transistors agbara, o ti wa ni lilo pupọ ni awọn ampilifaya foliteji (amudara foliteji le de ọdọ awọn ẹgbẹẹgbẹrun awọn akoko), awọn amplifiers agbara, awọn ipese agbara iyipada ati awọn inverters.
Gẹgẹbi gbogbo wa ṣe mọ, ẹnu-bode, orisun ati sisan ti MOSFET ibile jẹ aijọju lori ọkọ ofurufu petele kanna lori chirún, ati lọwọlọwọ ti nṣiṣẹ lọwọlọwọ n ṣan ni itọsọna petele.tube VMOS yatọ.O ni o ni meji pataki igbekale awọn ẹya ara ẹrọ: akọkọ, awọn irin ẹnu-bode adopts a V-sókè yara be;keji, o ni inaro elekitiriki.Niwon awọn sisan ti wa ni kale lati pada ti awọn ërún, ko ni san ID nâa pẹlú awọn ërún, ṣugbọn bẹrẹ lati darale doped N + ekun (orisun S) ati ki o óę sinu sere doped N-fiseete ekun nipasẹ P ikanni.Nikẹhin, o de ni inaro sisale lati ṣan D. Nitori ṣiṣan agbelebu-apakan agbegbe n pọ si, awọn ṣiṣan nla le kọja.Niwọn igba ti Layer idabobo silikoni oloro wa laarin ẹnu-ọna ati chirún, o tun jẹ MOSFET ti o ya sọtọ.
Awọn anfani ti lilo:
MOSFET jẹ ẹya ti o ṣakoso foliteji, lakoko ti transistor jẹ ẹya iṣakoso lọwọlọwọ.
MOSFET yẹ ki o lo nigbati iye kekere ti lọwọlọwọ ba gba laaye lati fa lati orisun ifihan;transistors yẹ ki o ṣee lo nigbati foliteji ifihan jẹ kekere ati pe o gba laaye lọwọlọwọ lati fa lati orisun ifihan.MOSFET nlo awọn ọkọ ayọkẹlẹ to pọ julọ lati ṣe ina, nitorinaa a pe ni ohun elo unipolar, lakoko ti awọn transistors lo awọn ọkọ ayọkẹlẹ to pọ julọ ati awọn gbigbe kekere lati ṣe ina, nitorinaa a pe ni ẹrọ bipolar.
Orisun ati sisan ti diẹ ninu awọn MOSFET le ṣee lo ni paarọ, ati foliteji ẹnu-bode le jẹ rere tabi odi, ṣiṣe wọn ni irọrun diẹ sii ju awọn triodes.
MOSFET le ṣiṣẹ labẹ awọn ipo foliteji kekere pupọ ati kekere pupọ, ati pe ilana iṣelọpọ rẹ le ni irọrun ṣepọ ọpọlọpọ MOSFET lori chirún ohun alumọni kan.Nitorinaa, MOSFET ti ni lilo pupọ ni awọn iyika iṣọpọ iwọn nla.
Olueky SOT-23N MOSFET
Awọn abuda ohun elo oniwun ti MOSFET ati transistor
1. Orisun s, gate g, ati sisan d ti MOSFET ni ibamu si emitter e, base b, ati olugba c ti transistor lẹsẹsẹ.Awọn iṣẹ wọn jọra.
2. MOSFET jẹ ẹrọ lọwọlọwọ ti o nṣakoso foliteji, iD jẹ iṣakoso nipasẹ vGS, ati pe gm ampilifaya rẹ jẹ kekere, nitorinaa agbara imudara MOSFET ko dara;transistor jẹ ẹrọ iṣakoso lọwọlọwọ, ati iC ni iṣakoso nipasẹ iB (tabi iE).
3. Ẹnu MOSFET fa fere ko si lọwọlọwọ (ig»0);lakoko ti ipilẹ transistor nigbagbogbo fa lọwọlọwọ kan nigbati transistor n ṣiṣẹ.Nitorinaa, ilodisi ẹnu-ọna ẹnu-ọna MOSFET ga ju resistance titẹ sii ti transistor.
4. MOSFET jẹ ti awọn onijagidijagan ti o ni ipa ninu adaṣe;transistors ni awọn gbigbe meji, awọn onijagidijagan pupọ ati awọn gbigbe kekere, ti o ni ipa ninu adaṣe.Ifojusi ti awọn gbigbe ti o kere julọ ni ipa pupọ nipasẹ awọn nkan bii iwọn otutu ati itankalẹ.Nitorinaa, MOSFETs ni iduroṣinṣin iwọn otutu ti o dara julọ ati resistance itọnju ti o lagbara ju awọn transistors lọ.MOSFET yẹ ki o lo nibiti awọn ipo ayika (iwọn otutu, ati bẹbẹ lọ) yatọ pupọ.
5. Nigbati irin orisun ati sobusitireti MOSFET ti sopọ papọ, orisun ati sisan le ṣee lo ni paarọ, ati awọn abuda yipada diẹ;lakoko ti o ba jẹ pe olugba ati emitter ti triode ti lo interchangeably, awọn abuda yatọ pupọ.Iye β yoo dinku pupọ.
6. Olusọdipúpọ ariwo ti MOSFET jẹ kekere pupọ.MOSFET yẹ ki o lo bi o ti ṣee ṣe ni ipele titẹ sii ti awọn iyika ampilifaya kekere ati awọn iyika ti o nilo ipin ifihan-si-ariwo giga.
7. Mejeeji MOSFET ati transistor le ṣe agbekalẹ ọpọlọpọ awọn iyika ampilifaya ati awọn iyika iyipada, ṣugbọn iṣaaju ni ilana iṣelọpọ ti o rọrun ati pe o ni awọn anfani ti lilo agbara kekere, iduroṣinṣin igbona ti o dara, ati iwọn folti ipese agbara iṣẹ jakejado.Nitorina, o ti wa ni o gbajumo ni lilo ni o tobi-asekale ati ki o gidigidi tobi-asekale ese iyika.
8. Awọn transistor ni o ni kan ti o tobi on-resistance, nigba ti MOSFET ni a kekere on-resistance, nikan kan diẹ ọgọrun mΩ.Ninu awọn ẹrọ itanna lọwọlọwọ, MOSFET ni gbogbo igba lo bi awọn iyipada, ati ṣiṣe wọn ga ni iwọn.
WINSOK SOT-323 encapsulation MOSFET
MOSFET la Bipolar Transistor
MOSFET jẹ ẹrọ iṣakoso foliteji, ati ẹnu-bode naa ko gba lọwọlọwọ, lakoko ti transistor jẹ ẹrọ iṣakoso lọwọlọwọ, ati ipilẹ gbọdọ gba lọwọlọwọ kan.Nitoribẹẹ, nigba ti a ṣe iwọn lọwọlọwọ ti orisun ifihan jẹ kere pupọ, MOSFET yẹ ki o lo.
MOSFET jẹ adaorin ti ngbe pupọ, lakoko ti awọn mejeeji ti transistor ṣe alabapin ninu adaṣe.Niwọn igba ti ifọkansi ti awọn gbigbe kekere jẹ ifarabalẹ pupọ si awọn ipo ita gẹgẹbi iwọn otutu ati itankalẹ, MOSFET dara julọ fun awọn ipo nibiti agbegbe ti yipada pupọ.
Ni afikun si lilo bi awọn ẹrọ ampilifaya ati awọn iyipada idari bi transistors, MOSFETs tun le ṣee lo bi awọn alatako laini oniyipada ti n ṣakoso foliteji.
Orisun ati sisan ti MOSFET jẹ iṣiro ni ọna ati pe o le ṣee lo ni paarọ.Foliteji orisun ẹnu-ọna ti ipo idinku MOSFET le jẹ rere tabi odi.Nitorinaa, lilo MOSFET jẹ irọrun diẹ sii ju awọn transistors lọ.
Akoko ifiweranṣẹ: Oṣu Kẹwa-13-2023
