Ṣiṣan ti MOSFET idanwo

Voor de detectie van MOSFET onderscheiden vier belangrijke aspecten:MOSFET lekkage, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking. Ti o ba ti wa ni ti wa ni ti o dara ju, MOSFET eto eto, die-die ti o wa ni ti o dara ju ti o ti wa ni ti wa ni ti o dara ju ti o ti wa ni ti o tọ:

1, de link gate en de bron van de weerstand verwijderd, de multimeter rode en zwarte pennen zal niet veranderen, als je beweegt de lekkage weerstand na de meter bar geleidelijk terug naar een hoge weerstand of oneindig, dan is deMOSFET lekkage; zal niet veranderen jẹ Eri geen probleem;

2, zal een transmissielijn naar de MOSFET ẹnu-bode en bron polen pade elkaar verbonden, als de digitale multimeter naald onmiddellijk terug naar oneindig, dan is de MOSFET jẹ geen probleem;

3, de rode pen naar de bron van de MOSFET S, de zwarte pen naar de afvoer van de MOSFET, een goede mita stick markering moet geen grote armen;

4, pade een weerstand van 100KΩ-200KΩ verbonden met de gate en drain, en vervolgens de rode pen aan de bron van de MOSFET S, de zwarte pen aan de drain van de MOSFET, op dit moment de waarde van de meterpaal siṣamisi ti pari het algemeen zal 0 zijn, op het moment is onder de positieve elektriciteit op igba van deze weerstand mi MOSFET ẹnu-bode batterij opladen, wat resulteert in de gate elektrisch veld, als gevolg van elektrisch veld Resulterend in geleidingsvermogen sectie veroorzaakt enu de drain en bron pool pass, zodat de digitale multimeter meter hoe bigros bigros de gezichtshoek, hoe hoger het rù en ontladen kenmerken.