Bii o ṣe le yan awọn MOSFET foliteji kekere ni deede

Aṣayan MOSFET foliteji kekere jẹ apakan pataki pupọ tiMOSFETaṣayan ko dara le ni ipa lori ṣiṣe ati idiyele ti gbogbo Circuit, ṣugbọn tun yoo mu wahala pupọ wa si awọn onimọ-ẹrọ, bii o ṣe le yan MOSFET ni deede?

Yiyan N-ikanni tabi P-ikanni Igbesẹ akọkọ ni yiyan ẹrọ ti o pe fun apẹrẹ ni lati pinnu boya lati lo ikanni N-ikanni tabi MOSFET ikanni P Ni ohun elo agbara aṣoju, MOSFET jẹ iyipada ẹgbẹ kekere-foliteji nigbati MOSFET ti wa ni ilẹ ati fifuye ti sopọ si foliteji ẹhin mọto. Ni iyipada ẹgbẹ foliteji kekere, MOSFET ikanni N-ikanni yẹ ki o lo nitori ero ti foliteji ti o nilo lati pa tabi tan ẹrọ naa.

Nigbati MOSFET ba ti sopọ mọ ọkọ akero ati pe ẹru naa ti wa lori ilẹ, iyipada ẹgbẹ foliteji giga yoo ṣee lo. Awọn MOSFET ikanni P-ikanni ni a maa n lo ni topology yii, lẹẹkansi fun awọn ero awakọ foliteji. Ṣe ipinnu idiyele lọwọlọwọ. Yan idiyele lọwọlọwọ ti MOSFET. Ti o da lori eto iyika, idiyele lọwọlọwọ yẹ ki o jẹ lọwọlọwọ ti o pọju ti ẹru le duro labẹ gbogbo awọn ayidayida.

Iru si awọn nla ti foliteji, onise gbọdọ rii daju wipe awọn ti o yanMOSFETle withstand yi ti isiyi Rating, paapaa nigba ti awọn eto ti wa ni ti o npese iwasoke sisan. Awọn ọran lọwọlọwọ meji lati ronu jẹ ipo lilọsiwaju ati awọn spikes pulse. Ni ipo idari lilọsiwaju, MOSFET wa ni ipo dada, nigbati lọwọlọwọ ba n kọja nigbagbogbo nipasẹ ẹrọ naa.

Polusi spikes ni o wa nigba ti o wa tobi surges (tabi spikes ti isiyi) ti nṣàn nipasẹ awọn ẹrọ. Ni kete ti o pọju lọwọlọwọ labẹ awọn ipo wọnyi, o jẹ ọrọ kan ti yiyan ẹrọ taara ti o le koju lọwọlọwọ ti o pọju. Ṣiṣe ipinnu Awọn ibeere Gbona Yiyan MOSFET tun nilo ṣiṣe iṣiro awọn ibeere igbona ti eto naa. Apẹrẹ gbọdọ gbero awọn oju iṣẹlẹ oriṣiriṣi meji, ọran ti o buru julọ ati ọran otitọ. A ṣe iṣeduro pe ki a lo iṣiro ọran ti o buru julọ nitori pe o pese ala ti o tobi ju ti ailewu ati rii daju pe eto naa kii yoo kuna. Awọn wiwọn kan tun wa lati ṣe akiyesi lori iwe data MOSFET; gẹgẹ bi awọn gbona resistance laarin awọn semikondokito ipade ti awọn package ẹrọ ati awọn ayika, ati awọn ti o pọju junction otutu. Ti pinnu lori iṣẹ iyipada, igbesẹ ikẹhin ni yiyan MOSFET ni lati pinnu lori iṣẹ iyipada tiMOSFET.

Ọpọlọpọ awọn paramita ti o ni ipa lori iṣẹ iyipada, ṣugbọn pataki julọ ni ẹnu-ọna / sisan, ẹnu-bode / orisun, ati sisan / agbara orisun. Awọn agbara wọnyi ṣẹda awọn adanu iyipada ninu ẹrọ nitori wọn ni lati gba agbara lakoko iyipada kọọkan. Iyara iyipada ti MOSFET nitorina dinku ati ṣiṣe ti ẹrọ naa dinku. Lati ṣe iṣiro awọn adanu ẹrọ lapapọ lakoko iyipada, apẹẹrẹ gbọdọ ṣe iṣiro awọn adanu titan (Eon) ati awọn adanu pipa.

Nigbati iye vGS jẹ kekere, agbara lati fa awọn elekitironi ko lagbara, jijo - orisun laarin ṣi ko si awọn ifihan ikanni conductive, ilosoke vGS, ti o gba sinu P sobusitireti lode Layer ti awọn elekitironi lori ilosoke, nigbati vGS de ọdọ kan iye kan, awọn elekitironi wọnyi ni ẹnu-bode nitosi irisi sobusitireti P jẹ ipele tinrin ti iru N, ati pẹlu agbegbe N + meji ti a ti sopọ Nigbati vGS de iye kan, awọn elekitironi wọnyi ninu ẹnu-bode sunmọ awọn P sobusitireti irisi yoo je kan N-Iru tinrin Layer, ati ki o ti sopọ si awọn meji N + ekun, ni sisan - orisun je N-Iru conductive ikanni, awọn oniwe-conductive iru ati idakeji ti awọn P sobusitireti, je egboogi -iru Layer. vGS tobi, ipa ti ifarahan semikondokito ti aaye ina mọnamọna ti o lagbara sii, gbigba awọn elekitironi si ita ti P sobusitireti, diẹ sii ikanni conductive jẹ nipon, isalẹ awọn resistance resistance. Iyẹn ni, MOSFET N-ikanni ni vGS <VT, ko le jẹ ikanni adaṣe, tube wa ni ipo gige. Niwọn igba ti vGS ≥ VT, nikan nigbati akopọ ikanni. Lẹhin ti awọn ikanni ti wa ni je, a sisan lọwọlọwọ ti ipilẹṣẹ nipa fifi a siwaju foliteji vDS laarin awọn sisan - orisun.

Ṣugbọn Vgs tẹsiwaju lati pọ sii, jẹ ki a sọ IRFPS40N60KVgs = 100V nigbati Vds = 0 ati Vds = 400V, awọn ipo meji, iṣẹ tube lati mu kini ipa, ti o ba sun, idi ati ilana inu ti ilana naa ni bi o ṣe le pọsi Vgs yoo dinku. Rds (lori) dinku awọn adanu iyipada, ṣugbọn ni akoko kanna yoo mu Qg pọ si, ki isonu titan-an di nla, ni ipa lori ṣiṣe ti awọn MOSFET GS foliteji nipa Vgg to Cgs gbigba agbara ati jinde, de ni itọju foliteji Vth, MOSFET ibere conductive; MOSFET DS lọwọlọwọ ilosoke, Millier capacitance ni aarin nitori idasilẹ ti DS capacitance ati idasilẹ, GS capacitance gbigba agbara ko ni ni Elo ikolu; Qg = Cgs * Vgs, ṣugbọn idiyele yoo tẹsiwaju lati kọ soke.

Foliteji DS ti MOSFET ṣubu si foliteji kanna bi Vgs, agbara Millier pọ si pupọ, foliteji awakọ ita duro gbigba agbara agbara Millier, foliteji ti agbara GS ko yipada, foliteji lori agbara Millier n pọ si, lakoko ti foliteji naa pọ si. lori agbara DS tẹsiwaju lati dinku; foliteji DS ti MOSFET dinku si foliteji ni itusilẹ ti o kun, agbara Millier di kere si foliteji DS ti MOSFET silẹ si foliteji ni adaṣe itẹlọrun, agbara Millier di kere ati pe o gba agbara papọ pẹlu agbara GS nipasẹ awakọ ita foliteji, ati awọn foliteji lori awọn GS capacitance ga soke; awọn ikanni wiwọn foliteji ni abele 3D01, 4D01, ati Nissan ká 3SK jara.

Ipinnu G-polu (bode): lo jia diode ti multimeter. Ti ẹsẹ kan ati awọn ẹsẹ meji miiran laarin ifasilẹ foliteji rere ati odi jẹ tobi ju 2V, iyẹn ni, ifihan “1”, ẹsẹ yii ni ẹnu-bode G. Ati lẹhinna paarọ pen lati wiwọn iyoku ẹsẹ meji, awọn foliteji ju ni kekere ti akoko, awọn dudu pen ti sopọ si D-polu (sisan), awọn pupa pen ti wa ni ti sopọ si S-polu (orisun).