Ṣiṣayẹwo Imudara ati Ilọkuro MOSFETs

D-FET wa ninu abosi ẹnu-ọna 0 nigbati aye ti ikanni, le ṣe FET; E-FET wa ninu abosi ẹnu-ọna 0 nigbati ko si ikanni, ko le ṣe FET naa. awọn oriṣi meji ti FETs ni awọn abuda ati awọn lilo tiwọn. Ni gbogbogbo, FET imudara ni iyara-giga, awọn iyika agbara-kekere jẹ niyelori pupọ; ati ẹrọ yii n ṣiṣẹ, o jẹ polarity ti ẹnu ibode voltage ati sisan foliteji ti kanna, o jẹ diẹ rọrun ni Circuit oniru.

 

Awọn ohun ti a npe ni imudara ọna: nigbati VGS = 0 tube ni a ge-pipa ipinle, plus awọn ti o tọ VGS, awọn opolopo ninu ẹjẹ ti wa ni ifojusi si ẹnu-bode, bayi "igbelaruge" awọn ẹjẹ ni ekun, lara kan conductive ikanni. MOSFET ti o ni ilọsiwaju n-ikanni jẹ ipilẹ oke-ọtun apa osi, eyiti o jẹ semikondokito iru P lori iran ti Layer ti idabobo fiimu SiO2. O ṣe agbejade ipele idabobo ti fiimu SiO2 lori iru semikondokito P, ati lẹhinna tan kaakiri awọn agbegbe N-Iru doped giga meji nipasẹfọtoyiya, ati ki o nyorisi awọn amọna lati agbegbe N-Iru, ọkan fun sisan D ati ọkan fun orisun S. A Layer ti aluminiomu irin ti wa ni palara lori awọn idabobo Layer laarin awọn orisun ati awọn sisan bi ẹnu-bode G. Nigbati VGS = 0 V. , nibẹ ni o wa oyimbo kan diẹ diodes pẹlu pada-si-pada diodes laarin awọn sisan ati awọn orisun ati awọn foliteji laarin D ati S ko dagba kan lọwọlọwọ laarin D ati S. Awọn ti isiyi laarin D ati S ti wa ni ko akoso nipa awọn foliteji loo. .

 

Nigbati a ba ṣafikun foliteji ẹnu-bode, ti 0 <VGS <VGS (th), nipasẹ aaye ina agbara ti o ṣẹda laarin ẹnu-bode ati sobusitireti, awọn ihò polyon ninu semikondokito iru P ti o sunmọ isalẹ ti ẹnu-bode naa yoo tun pada si isalẹ, ati Layer idinku tinrin ti awọn ions odi han; ni akoko kanna, o yoo fa awọn oligons ninu rẹ lati gbe si awọn dada Layer, ṣugbọn awọn nọmba ti wa ni opin ati ki o insufficient lati fẹlẹfẹlẹ kan ti conductive ikanni ti o soro awọn sisan ati orisun, ki o jẹ ṣi insufficient to Ibiyi ti sisan lọwọlọwọ ID. siwaju sii ilosoke VGS, nigbati VGS > VGS (th) (VGS (th) ni a npe ni Tan-on foliteji), nitori ni akoko yi awọn foliteji ẹnu-bode ti a jo lagbara, ninu awọn P-Iru semikondokito dada Layer nitosi isalẹ ti ẹnu-bode ni isalẹ awọn apejo ti diẹ ẹ sii. elekitironi, o le fẹlẹfẹlẹ kan ti yàrà, sisan ati awọn orisun ti ibaraẹnisọrọ. Ti foliteji orisun ṣiṣan ti wa ni afikun ni akoko yii, ṣiṣan ṣiṣan le jẹ ID ID. elekitironi ninu awọn conductive ikanni akoso ni isalẹ ẹnu-bode, nitori ti awọn ti ngbe iho pẹlu awọn P-Iru semikondokito polarity ni idakeji, ki o ni a npe ni egboogi-Iru Layer. Bi VGS ti n tẹsiwaju lati pọ si, ID yoo tẹsiwaju lati pọ si. ID = 0 ni VGS = 0V, ati ṣiṣan ṣiṣan waye nikan lẹhin VGS> VGS(th), nitorina, iru MOSFET yii ni a npe ni MOSFET imudara.

 

Ibasepo iṣakoso ti VGS lori ṣiṣan ṣiṣan ni a le ṣe apejuwe nipasẹ iD = f(VGS(th))|VDS=const, eyi ti a npe ni ọna gbigbe abuda, ati titobi ti ite ti ọna gbigbe abuda, gm, ṣe afihan iṣakoso ti sisan lọwọlọwọ nipasẹ foliteji orisun ẹnu-ọna. titobi gm jẹ mA/V, nitorina gm tun npe ni transconductance.