Bawo ni MOSFET ṣiṣẹ

Ilana iṣiṣẹ ti MOSFET da lori awọn ohun-ini igbekale alailẹgbẹ rẹ ati awọn ipa aaye ina. Atẹle ni alaye alaye ti bii MOSFETs ṣe n ṣiṣẹ:

 

I. Ilana ipilẹ ti MOSFET

MOSFET kan ni pataki ti ẹnu-bode (G), orisun kan (S), sisan (D), ati sobusitireti (B, nigbakan ti a sopọ mọ orisun lati ṣe agbekalẹ ẹrọ ebute mẹta). Ni awọn MOSFET imudara ikanni N-ikanni, sobusitireti nigbagbogbo jẹ ohun elo silikoni iru P-doped kekere lori eyiti awọn agbegbe meji doped N-type ti jẹ iṣelọpọ lati ṣiṣẹ bi orisun ati sisan, lẹsẹsẹ. Ilẹ ti sobusitireti iru P ti wa ni bo pelu fiimu oxide tinrin pupọ (silicon dioxide) bi Layer insulating, ati pe a fa elekiturodu bi ẹnu-ọna. Ipilẹ yii jẹ ki ẹnu-ọna ti o ya sọtọ lati inu sobusitireti semikondokito iru P, sisan ati orisun, ati nitorinaa tun pe ni tube ipa aaye ti o ya sọtọ.

II. Ilana ti isẹ

MOSFET ṣiṣẹ nipa lilo foliteji orisun ẹnu-ọna (VGS) lati ṣakoso lọwọlọwọ sisan (ID). Ni pataki, nigbati foliteji orisun ẹnu-ọna rere ti a lo, VGS, tobi ju odo lọ, aaye ina mọnamọna odi oke ati isalẹ yoo han lori Layer oxide ni isalẹ ẹnu-bode. Aaye ina mọnamọna yii ṣe ifamọra awọn elekitironi ọfẹ ni agbegbe P-agbegbe, nfa ki wọn kojọpọ ni isalẹ Layer oxide, lakoko ti o npa awọn ihò pada ni agbegbe P-ekun. Bi VGS ṣe n pọ si, agbara ti aaye ina n pọ si ati ifọkansi ti ifamọra awọn elekitironi ọfẹ. Nigbati VGS ba de iwọn foliteji ala kan (VT), ifọkansi ti awọn elekitironi ọfẹ ti o pejọ ni agbegbe naa tobi to lati ṣe agbegbe N-Iru tuntun kan (ikanni N-ikanni), eyiti o ṣiṣẹ bi afara ti o so ṣiṣan ati orisun. Ni aaye yii, ti foliteji awakọ kan (VDS) wa laarin sisan ati orisun, ID ti o wa lọwọlọwọ bẹrẹ lati san.

III. Ibiyi ati iyipada ti ifọnọhan ikanni

Awọn Ibiyi ti awọn ifọnọhan ikanni ni awọn bọtini si awọn isẹ ti MOSFET. Nigbati VGS ba tobi ju VT, ikanni ti n ṣakoso ti fi idi mulẹ ati pe ID sisan lọwọlọwọ yoo ni ipa nipasẹ mejeeji VGS ati VDS.VGS yoo ni ipa lori ID nipa ṣiṣakoso iwọn ati apẹrẹ ti ikanni ti n ṣakoso, lakoko ti VDS yoo ni ipa lori ID taara bi foliteji awakọ. O ṣe pataki lati ṣe akiyesi pe ti a ko ba fi idi ikanni ti o nṣakoso (ie, VGS kere ju VT), lẹhinna paapaa ti VDS ba wa, ID ti o wa lọwọlọwọ ko han.

IV. Awọn abuda ti MOSFET

Idiwọ titẹ sii giga:Imudani titẹ sii ti MOSFET ga pupọ, ti o sunmọ ailopin, nitori pe Layer idabobo wa laarin ẹnu-bode ati agbegbe orisun-sisan ati lọwọlọwọ ẹnu-ọna alailagbara nikan.

Iwajade kekere:MOSFET jẹ awọn ẹrọ iṣakoso foliteji ninu eyiti lọwọlọwọ orisun-iṣan le yipada pẹlu foliteji titẹ sii, nitorinaa ikọlu iṣelọpọ wọn jẹ kekere.

Ṣiṣan nigbagbogbo:Nigbati o ba n ṣiṣẹ ni agbegbe ekunrere, lọwọlọwọ MOSFET jẹ eyiti ko ni ipa nipasẹ awọn ayipada ninu foliteji-iṣan, n pese lọwọlọwọ igbagbogbo to dara julọ.

 

Iduroṣinṣin iwọn otutu to dara:Awọn MOSFET ni iwọn otutu iṣiṣẹ jakejado lati -55°C si nipa +150°C.

V. Ohun elo ati awọn classifications

MOSFET jẹ lilo pupọ ni awọn iyika oni-nọmba, awọn iyika afọwọṣe, awọn iyika agbara ati awọn aaye miiran. Gẹgẹbi iru iṣẹ ṣiṣe, MOSFETs le jẹ ipin si imudara ati awọn iru idinku; ni ibamu si awọn iru ti ifọnọhan ikanni, won le wa ni classified sinu N-ikanni ati P-ikanni. Awọn oriṣiriṣi oriṣi MOSFET wọnyi ni awọn anfani tiwọn ni awọn oju iṣẹlẹ ohun elo oriṣiriṣi.

Ni akojọpọ, ilana iṣẹ ti MOSFET ni lati ṣakoso iṣelọpọ ati iyipada ti ikanni ti n ṣakoso nipasẹ foliteji orisun ẹnu-ọna, eyiti o jẹ ki o ṣakoso ṣiṣan ṣiṣan lọwọlọwọ. Imudani titẹ sii giga rẹ, ikọlu iṣelọpọ kekere, lọwọlọwọ igbagbogbo ati iduroṣinṣin iwọn otutu jẹ ki MOSFET jẹ paati pataki ni awọn iyika itanna.