Nigba ti nse a yipada agbara agbari tabi motor drive Circuit liloMOSFET, awọn okunfa bii on-resistance, o pọju foliteji, ati ki o pọju lọwọlọwọ ti MOS ti wa ni gbogbo kà.
MOSFET tubes jẹ iru FET ti o le ṣe bi boya imudara tabi iru idinku, ikanni P-ikanni tabi N-ikanni fun apapọ awọn oriṣi 4. Imudara NMOSFETs ati imudara PMOSFETs ni gbogbo igba lo, ati pe awọn meji wọnyi ni a mẹnuba nigbagbogbo.
Awọn meji wọnyi ni a lo nigbagbogbo ni NMOS. idi ni wipe awọn conductive resistance ni kekere ati ki o rọrun lati manufacture. Nitorinaa, NMOS ni a maa n lo ni yiyipada ipese agbara ati awọn ohun elo awakọ mọto.
Ninu MOSFET, a gbe thyristor laarin sisan ati orisun, eyiti o ṣe pataki pupọ ni wiwakọ awọn ẹru inductive gẹgẹbi awọn mọto, ati pe o wa ni MOSFET kan ṣoṣo, kii ṣe nigbagbogbo ni chirún Circuit ti o ni idapo.
Agbara parasitic wa laarin awọn pinni mẹta ti MOSFET, kii ṣe pe a nilo rẹ, ṣugbọn nitori awọn idiwọn ti ilana iṣelọpọ. Iwaju agbara parasitic jẹ ki o nira diẹ sii nigbati o ṣe apẹrẹ tabi yiyan Circuit awakọ, ṣugbọn ko le yago fun.
Awọn ifilelẹ ti awọn sile tiMOSFET
1, ìmọ foliteji VT
Open foliteji (tun mo bi foliteji ala): ki awọn foliteji ẹnu-bode ti a beere lati bẹrẹ lara kan conductive ikanni laarin awọn orisun S ati sisan D; boṣewa N-ikanni MOSFET, VT jẹ nipa 3 ~ 6V; nipasẹ awọn ilọsiwaju ilana, iye MOSFET VT le dinku si 2 ~ 3V.
2, DC input resistance RGS
Iwọn foliteji ti a ṣafikun laarin opo orisun ẹnu-bode ati lọwọlọwọ ẹnu-ọna Iwa yii jẹ afihan nigbakan nipasẹ ẹnu-ọna lọwọlọwọ ti nṣàn nipasẹ ẹnu-ọna, MOSFET's RGS le ni irọrun kọja 1010Ω.
3. Imugbẹ orisun didenukole BVDS foliteji.
Labẹ ipo ti VGS = 0 (ti mu dara si), ninu ilana ti jijẹ foliteji orisun orisun omi, ID n pọ si pupọ nigbati VDS ni a pe ni foliteji didenukole orisun omi BVDS, ID pọ si ni pipe nitori awọn idi meji: (1) owusuwusu. didenukole Layer idinku nitosi sisan, (2) didenukole ilaluja laarin awọn sisan ati awọn ọpá orisun, diẹ ninu awọn MOSFETs, eyi ti o ni a kikuru trench ipari, mu VDS ki awọn sisan Layer ninu awọn agbegbe imugbẹ ti gbooro si agbegbe orisun, ṣiṣe ipari ikanni jẹ odo, iyẹn ni, lati gbejade ilaluja orisun-iṣan, ilaluja, pupọ julọ awọn gbigbe ni agbegbe orisun yoo ni ifamọra taara nipasẹ aaye ina ti Layer idinku si ekun sisan, Abajade ni kan ti o tobi ID.
4, ẹnu-ọna didenukole foliteji BVGS
Nigbati foliteji ẹnu-ọna ba pọ si, VGS nigbati IG pọ si lati odo ni a pe ni foliteji didenukole ẹnu-bode BVGS.
5,Low igbohunsafẹfẹ transconductance
Nigbati VDS jẹ iye ti o wa titi, ipin ti microvariation ti ṣiṣan ṣiṣan si microvariation ti foliteji orisun ẹnu-ọna ti o fa iyipada ni a pe ni transconductance, eyiti o ṣe afihan agbara ti foliteji orisun ẹnu-ọna lati ṣakoso ṣiṣan ṣiṣan, ati pe o jẹ ẹya. pataki paramita ti o characterizes awọn ampilifaya agbara ti awọnMOSFET.
6, on-resistance RON
On-resistance RON fihan ipa ti VDS lori ID, jẹ idakeji ti ite ti laini tangent ti awọn abuda sisan ni aaye kan, ni agbegbe ekunrere, ID fere ko ni iyipada pẹlu VDS, RON jẹ nla pupọ. iye, ni gbogbogbo ni awọn mewa ti kilo-Ohms si awọn ọgọọgọrun kilo-Ohms, nitori ni awọn iyika oni-nọmba, MOSFET nigbagbogbo ṣiṣẹ ni ipo ti VDS conductive = 0, nitorinaa ni aaye yii, awọn lori-resistance RON le jẹ isunmọ nipasẹ ipilẹṣẹ ti RON si isunmọ, fun MOSFET gbogbogbo, iye RON laarin awọn ọgọrun ohms diẹ.
7, inter-pola capacitance
Interpolar capacitance wa laarin awọn amọna mẹta: agbara orisun ẹnu-ọna CGS, agbara agbara ẹnu-ọna CGD ati agbara orisun agbara CDS-CGS ati CGD jẹ nipa 1 ~ 3pF, CDS jẹ nipa 0.1 ~ 1pF.
8,Low igbohunsafẹfẹ ariwo ifosiwewe
Ariwo ṣẹlẹ nipasẹ awọn aiṣedeede ninu gbigbe awọn ti ngbe inu opo gigun ti epo. Nitori wiwa rẹ, foliteji alaibamu tabi awọn iyatọ lọwọlọwọ waye ni iṣelọpọ paapaa ti ko ba si ifihan agbara ti a fi jiṣẹ nipasẹ ampilifaya. Iṣẹ ṣiṣe ariwo ni a maa n ṣalaye ni awọn ofin ti ifosiwewe ariwo NF. Ẹka naa jẹ decibel (dB). Awọn kere ni iye, awọn kere ariwo tube fun wa. Iwọn ariwo kekere-igbohunsafẹfẹ ni iwọn ariwo ti a ṣe iwọn ni iwọn-igbohunsafẹfẹ kekere. Ifosiwewe ariwo ti tube ipa aaye jẹ nipa dB diẹ, o kere ju ti triode bipolar kan.