Ilana iṣẹ ti ipo imudara ikanni N-ikanni MOSFET

(1) Ipa iṣakoso ti vGS lori ID ati ikanni

① Ọran ti vGS=0

A le rii pe awọn isunmọ PN meji-pada si ẹhin laarin sisan d ati orisun s ti ipo imudara.MOSFET.

Nigbati awọn foliteji orisun-bode vGS = 0, paapa ti o ba sisan-orisun foliteji vDS ti wa ni afikun, ati laiwo ti awọn polarity ti vDS, nibẹ jẹ nigbagbogbo a PN ipade ni yiyipada abosi ipinle. Ko si ikanni conductive laarin sisan ati orisun, nitorina imugbẹ ID≈0 lọwọlọwọ ni akoko yii.

② Ọran ti vGS>0

Ti vGS>0, aaye ina kan wa ni ipilẹṣẹ ni Layer idabobo SiO2 laarin ẹnu-bode ati sobusitireti. Itọsọna aaye itanna jẹ papẹndikula si aaye ina ti a ṣe itọsọna lati ẹnu-bode si sobusitireti lori dada semikondokito. Yi ina aaye repels ihò ati ki o fa elekitironi. Awọn ihò ifasilẹ: Awọn ihò ti o wa ninu sobusitireti iru P ti o wa nitosi ẹnu-bode naa ni a tun pada, nlọ awọn ions itẹwọgba ti ko ṣee gbe (awọn ions odi) lati ṣe fẹlẹfẹlẹ idinku. Ṣe ifamọra awọn elekitironi: Awọn elekitironi (awọn oluṣe kekere) ti o wa ninu iru sobusitireti P ni ifamọra si dada sobusitireti.

(2) Ibiyi ti ikanni conductive:

Nigbati iye vGS jẹ kekere ati agbara lati fa awọn elekitironi ko lagbara, ko si ikanni conductive laarin sisan ati orisun. Bi vGS ṣe n pọ si, awọn elekitironi diẹ sii ni ifamọra si Layer dada ti sobusitireti P. Nigbati vGS ba de iye kan, awọn elekitironi wọnyi ṣe apẹrẹ N-Iru tinrin Layer lori dada ti P sobusitireti nitosi ẹnu-ọna ati pe wọn ti sopọ mọ awọn agbegbe N+ meji, ti o n ṣe ikanni conductive iru N laarin sisan ati orisun. Iru ifarapa rẹ jẹ idakeji si ti sobusitireti P, nitorinaa o tun pe ni Layer inversion. VGS ti o tobi julọ jẹ, okun ina mọnamọna ti n ṣiṣẹ lori dada semikondokito jẹ diẹ sii, awọn elekitironi diẹ sii ni ifamọra si dada ti sobusitireti P, nipon ikanni conductive jẹ, ati pe o kere si resistance ikanni jẹ. Foliteji orisun ẹnu-ọna nigbati ikanni bẹrẹ lati dagba ni a pe ni foliteji titan, ti o jẹ aṣoju nipasẹ VT.